本论文基于余氏EET理论和程氏改进的TFD理论,利用合金价电子理论的计算方法,计算了Al-Mg-Si合金时效强化中过饱和固溶体、GP区、稳定相Mg₂Si及相应的相界面的价电子结构;利用Al-Mg-Si合金过饱和固溶体及GP区的相结构因子和界面结合因子分析了过饱和固溶体经低温人工时效迅速转变为GP区的原因;利用稳定相Mg₂Si相的价电子结构、结合GP区的电子结构,揭示了Al-Mg-Si合金时效强化从过饱和固溶体直接形成GP区而不是直接形成稳定相Mg₂Si的本质;利用稳定相Mg₂Si相界面的价电子结构,探讨了稳定相Mg₂Si对Al-Mg-Si合金性能的影响。另外,试探地计算了过渡相β′的相电子结构,分析了β′相计算困难的原因并预测了过渡相β′的相及相界面价电子结构,为其他人员进一步的研究奠定了基础。本文通过对Al-Mg-Si合金时效强化的研究,实现了在电子结构层次上探讨Al-Mg-Si合金时效强化的新观点、新方法。