晶体硅微粉尘广泛存在于高纯硅及硅片的生产与切割研磨加工中;当前全球关注的太阳能级硅料物理提纯技术也包含将冶金级硅料粉碎研磨至微粉的过程。掌握晶体硅微粉的氧化行为,对粉尘状态硅料的利用和储存、对晶体硅切割与研磨屑的回收利用、对太阳能级硅料的物理提纯技术开发,都具有重要的基础意义。本文通过XRD、TGA和EDX等方法对晶体硅微粉在空气、水、聚乙二醇切割液（PEG）、酸性溶液等不同介质中的氧化性质进行了实验研究。结果表明:高纯硅粉在低于200℃的干燥空气中不容易发生明显氧化。水是引起硅氧化的一个重要因素,在80℃以上去离子水中放置一段时间硅微粉会有不同程度的氧化发生,氧化物为非晶态SiO₂,其氧化程度受温度及放置时间的影响;与此同时,硅微粉在水中也发生较大程度的溶解,使其在水中放置一段时间后最终出现不同程度的减重现象。而与水溶液相比,PEG对硅微粉的氧化具有一定的防护作用。在不同的酸性溶液中,硅微粉的氧化情况相差很大。低浓度HCl溶液（1:100）可有效抑制硅微粉的氧化;而在90℃下低浓度HF溶液（1:100和2:100）中,晶体硅微粉发生明显氧化,形成亲水的非晶SiO₂,并且反应过的硅微粉表面粗糙,布满岛状颗粒;高浓度HF（1:5）则可对低浓度HF溶液中氧化的硅微粉起到去氧化的作用,从而得光洁分散的硅微粉颗粒。同时,本文也对硅锭及硅片切割过程所产生硅锯屑微粉的基本性质进行了分析。带锯过程产生的硅屑呈坚硬的球形团聚,且含有大量非晶SiO₂;随着储存时间的延长,带锯屑中硅的非晶氧化物增多,但在1500℃下处理后,非晶氧化物转变为晶态。多线切割中产生的硅屑中混有大量SiC磨料和PEG,当中的晶体硅未发生明显氧化;用水可以洗去线锯料中的PEG,得到微米级的分散的微粉（粒度约为3.66μm）;与纯净的太阳能级硅微粉不同,多线切割硅屑在90℃下的水中放置3天也不会发生明显氧化。