先进过程控制可以有效地提高成品率和产量,所以在当代半导体制造中越来越受重视。目前常用于半导体制造的先进过程控制如增强型的统计过程控制( Static Process Control, SPC )或错误检测与识别( Fault Detect and Classify, FDC )都只能发现问题而不能自动有效地修正误差。如何获得一种可以自动、有效、高速的修正误差的控制方法是半导体制造的先进过程控制领域内的重要课题。本文提出了一种新的先进过程控制方法,称为:双近似逆系统反馈控制( Dual Proximate Inverse System Feedback Control, DIFC )。这是一种通过自动修正输入工艺参数来有效、高速地修正设备系统误差的方法。DIFC由近似逆系统和控制律组成,这两个部分可以基本独立的选择、设计,给设计者以更大的自由以获得理想的控制效果。对于DIFC的渐进稳定性,本文给出了其一般性充分条件,并给出了证明。我们使用若干种虚拟设备,对DIFC的性能进行了分析:包括快速热处理、离子注入和化学机械平坦化设备,其中化学机械平坦化虚拟设备使用了实际工业数据。我们分析了逆系统选用径向基网络或线性近似;以及控制律选用比例、比例积分微分、动态比例控制等情况下双近似逆系统反馈控制的效果,结果十分优异:P=1控制律也可以在各种情况下迅速地应对变化的系统误差并将其抑制到接近零,而复杂的控制律下,DIFC有更好的表现。