【摘 要】
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该文报告了用半导体激光作为光源进行强磁场中Cs原子蒸气的光抽运的系统性实验研究工作和理论分析.在实验和理论中细致地考虑了被抽运Cs原子的光吸收线型.采用抽运和探测两个
【出 处】
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中国科学院武汉物理研究所 中国科学院武汉物理与数学研究所
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该文报告了用半导体激光作为光源进行强磁场中Cs原子蒸气的光抽运的系统性实验研究工作和理论分析.在实验和理论中细致地考虑了被抽运Cs原子的光吸收线型.采用抽运和探测两个分立的、可精细调谐和扫描频率的半导体激光器,首次用"共振一扫频"稳态吸收谱方法,研究了强磁场中被抽运Cs原子的探测光吸收谱的包络形状同基态超精细Zeeman子能级间的磁偶极跃迁速率,光抽运激光功率等的关系.研究了不同超精细Zeeman子能级上原子数分布同这些物理量的关系.测量了抽运光频率调谐到不同超精细Zeeman子能级上时,电子自旋的极化度.电子自旋极化度的测量方法是根据强磁场中Cs原子的能级特点提出的.用分立可调谐光源细致地研究了Cs原子的超精细Zeeman能级上非热平衡粒子数布居的驰豫过程,首次从实验上观察到粒子数"过头驰豫"现象,并结合理论计算,确认这种驰豫现象是由于超精细相互作用的碰撞改变项导致的跃迁造成的.全部的理论分析和计算都基于经过适当简化的粒子数速率方程模型.
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