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本文针对提高和控制新型高介电常数栅介质薄膜的质量的问题，成功研制了准分子紫外光诱导12英寸化学气相沉积设备(Photo-CVD)，并在此基础上开展了多种高介电常数薄膜材料的低温生长与特性研究，研究结果成功实现了Ti铝酸盐薄膜成份的连续可调(从纯TiO2到纯Al2O3)。
本文针对高介电常数栅介质薄膜与半导体衬底界面特性的问题，利用原位光电子能谱技术系统地研究了金属、金属氧化物、金属硅酸盐、金属硅化物、SiO2和Si整个材料体系在不同退火温度下的表面与界面反应机制；同时也利用价带谱分析了相关体系的界面能带排布及其演化，我们利用界面电场的模型成功解释了界面能带偏移的变化。