本课题主要以等离子体为激发能量的新点火器件—半导体桥，开展等离子体对斯蒂芬酸铅的系统性点火实验研究，由此而得到较全面的药剂对等离子体的响应规律。课题重点研究的内容有：半导体桥等离子体温度的测量；半导体桥等离子体引发药剂反应的作用能量和药剂作用时间；应用等离子体鞘层理论，对等离子体与药剂界面作用过程进行数值模拟。研究结果表明：通过对半导体桥作用时的温度、持续时间、电子密度等参量的分析，结果满足判断是否为等离子体的三个特征参量的要求，说明半导体桥作用时确实产生了等离子体。半导体桥等离子体的温度有以下规律：(1)在同一电容下，随着电压的升高，等离子体的温度随之升高；(2)在同一电压下，随着电容的增大，等离子体的温度随之升高；(3)实测等离子体的温度范围为1800K～7800K，等离子体持续时间在100μs以内。半导体桥点火时间有以下规律：(1)随着输入电压的增大，点火时间越来越短；(2)随着电容的增大，点火时间越来越短；(3)随着药剂粒径的增大，点火时间越来越长；(4)在小装药量下，压药压力对点火时间的影响不大；(5)随着输入能量的增大，点火时间越来越短，点火时间减少幅度越来越小，最终趋于一定值，整个点火时间随输入能量的变化曲线近似满足指数衰减函数。依据半导体桥的点火过程及其特点，初步建立了鞘层模型，为后续研究工作奠定理论基础。