近年来由于“3E”问题的日益严重，为了解决严峻的能源问题，研发高效率的太阳能电池以最大限度地利用天然丰富的太阳能资源是目前的最佳途径。而薄膜太阳能电池由于其低成本、能大规模生产、高光电转换效率等优点而成为目前研究的主要方向。SnS和ZnO则因其优异的性能被看作是很有前景的太阳能电池的吸收层和窗口层材料。在本论文中，分析了化学水浴法和真空蒸发法制备应用于太阳能电池吸收层的SnS薄膜，研究了磁控溅射法制备太阳能电池的窗口层材料ZnO薄膜。最后，研制了ITO/ZnO/SnS/Al结构的异质结薄膜太阳电池。研究工作主要获得了以下结果： 1.采用化学水浴法制备SnS薄膜。该法的优化反应条件为：转子的转速不宜过快也不宜过慢；反应温度T=40℃；沉积时间控制在3 h。通过各种表征手段将该法制备的薄膜与用真空蒸发法制备的薄膜进行比较之后，得到结论：化学水浴法适用于基于SnS的同质结薄膜太阳能电池的研究，而在研究SnS异质结薄膜太阳能电池时，采用真空蒸发法则更为实用和可靠。 2.采用射频磁控溅射法制备ZnO薄膜。在普通玻璃衬底上制备一层本征ZnO薄膜，并以该参数在ITO衬底上沉积ZnO薄膜形成ZnO衬底以用作太阳能电池的窗口层。得到用以制备ZnO/SnS异质结的ZnO薄膜的最佳工艺参数为：沉积时间为40 min，工作气压为0.2 Pa，功率为150 W，在该条件下制备出来的ZnO薄膜质量好，半高宽(FWHM)较小，而且表面非常光滑整洁，比较适用于用来制备ZnO/SnS异质结中的n层ZnO薄膜。 3.ZnO/SnS薄膜异质结太阳能电池的研制。ITO/ZnO/SnS/Al结构太阳能电池的最优器件的制备工艺为：SnS膜厚150nm，铝电极厚100 nm，ZnO薄膜的参数是溅射功率为150 W，工作气压为0.2 Pa和沉积时间为40 min。在光照条件为AM1.5的钨灯光照下，该结构最优器件的电学参数为：Jsc=1.38 mA·cm-2，Voc=0.42 V，FF=0.40，Pmax=0.231 mW·cm-2，能量转换效率η=0.231％。