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氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带(3.37 eV)、高激子束缚能(60 meV)II-VI族半导体材料,在选择性掺杂后,更具有优异的透明导电、压敏、压电、稀磁半导体等特性,是平板显示器、传感器件、自旋半导体器件以及短波长发光器件的重要候选材料之一,成为目前研究的热点。本文以V_2O_5掺杂Zn O陶瓷靶为靶材,采用射频(RF)磁控溅射法在玻璃衬底上制备Zn O:V薄膜,并系统研究基底温度、O_2/(O_2+Ar)流量比以及掺V量对Zn O:V薄膜结构形貌、内在缺陷和光学特性的影响。研究结果表明:采用R