【摘 要】
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该文利用直流电弧等离子体方法制备Ⅲ族金属氮化物纳米晶.首次利用该法得到氮化镓(GaN)纳米晶.制备了氮化铝(A1N),复合铝-氮化铝(Al-AlN),铟(In)纳米晶,并以In纳米粉末为前体
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该文利用直流电弧等离子体方法制备Ⅲ族金属氮化物纳米晶.首次利用该法得到氮化镓(GaN)纳米晶.制备了氮化铝(A1N),复合铝-氮化铝(Al-AlN),铟(In)纳米晶,并以In纳米粉末为前体反应物经过二次氮化得到部分氮化铟(InN)纳米晶.利用多种分析手段对上述系列纳米晶的晶体结构、形貌变化、发光特性、晶格振动模式等基本性质了深入的研究.发现一些与体相材料不同的特异性质,如AlN、GaN纳米晶的表面表子模振动;GaN纳米晶存在低频声子声学模;AlN纳米晶可见光区的光致发光现象.研究了Al-AlN复合纳米晶分别在空气、氮气中的燃烧和氮化过程,提出粉末燃烧模型;以纳米GaN粉末为原料作高温高压处理,得到具有一定取向生长的块体GaN晶体,分析其晶体生长机制及其物性变化等.该项研究拓宽了Ⅲ族金属氮化物纳米晶的研究领域,并进行了较系统和深入的研究,为这一研究领域进一步发展建立了一定的实验与理论基础.
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