多晶硅生产过程中会产生一定量的副产物SiCl4，随着市场的不断扩大，SiCl4的产生量也是不断增长，为了减少因SiCl4的产生而给光伏产业带来的负面影响，降低多晶硅生产过程中的运行成本，研究SiCl4行之有效的处理方法具有非同一般的意义。　　降低SiCl4产量的主要技术是氢化反应技术，SiCl4氢化技术主要包括“热氢化技术”和“冷氢化技术”。冷氢化技术耗能低、操作控制性强，安全稳定性高，是国内多晶硅工艺普遍使用的方法。SiCl4冷氢化技术在不使用催化剂的情况下，转化为SiHCl3的效率很低，为了提高转化率，则需添加催化剂。　　本文主要研究的催化剂为铜基催化剂、镍基催化剂、铁基催化剂、钴、钼基催化剂等。分别从催化剂的制备、活性评价、SiCl4氢化工艺的机理研究、催化剂对SiCl4氢化工艺的作用，以及氢化工艺参数的确定等方面进行分析和研究。通过对这几种催化剂的制备和检测，得出：镍基催化剂在整个反应过程稳定性高，铜基催化剂在使用后会出现一定的烧结现象；在温度低于500℃时，铁基催化剂小孔的孔道会逐渐消失，高于500℃时因结构中的水快速脱去，导致小孔逐渐破坏变成大孔；钼、钴基催化剂则是在高于680℃的情况下才能发挥最佳的作用。　　通过对SiCl4氢化工艺反应机理的研究，可以看出具有较高能量的氯化铜晶体会吸附SiCl4分子中的一个氯离子，使得硅氯键拉长，直至断裂。SiCl4因这一变化成为三氯硅自由基，三氯硅自由基又把氢分子中的一个氢原子夺取后生成SiHCl3和一个游离的氢离子。氢离子和氯化铜吸附的氯离子碰撞合成氯化氢分子，合成的氯化氢分子会从氯化铜表面脱附下来。　　SiCl4氢化反应工艺的较好条件为压力25atm、温度550℃、原料比n(H2):n(SiCl4)为4，将四种催化剂加入反应中，得出在对SiCl4氢化转化率的影响中，铜基催化剂最高，为25.8％，镍基催化剂次之，铁基和钴、钼基则很低。将催化剂铜和镍应用于大试设备中，连续生产一个月，发现：铜基催化剂的转化率均值在22.54%，镍基催化剂的转化率均值在18.54%，相对来说铜基催化剂的转化率较高，铜基催化剂可作为SiCl4综合回收利用的重要选择。