随着电子元器件向小型化、集成化、低能耗、高频段的方向不断发展,其对支撑材料的要求也越来越高。对于软磁材料而言,具有面内单轴各向异性的薄膜形态可以有效突破Snoek极限,因此更适合应用在GHz以上的高频领域中。近年来,由于层间交换耦合多层膜中存在较高的光学模铁磁共振频率以及相对高的磁导率,使其在微波器件中得到广泛应用,该方面的研究也受到了广泛关注。本论文以具有层间交换耦合作用的三层膜结构为研究对象,围绕层间交换耦合作用对光学模铁磁共振的影响及光学模的调控机制开展了一系列工作,主要研究内容如下:1.探究光学模铁磁共振的形成和调控机理。通过成分梯度溅射法制备了FeCoB（25 nm）/Ru（3（?））/FeCoB（25 nm）三层膜样品。实验结果表明,由于超薄Ru间隔层的插入引起了强层间交换耦合作用,从而得到了沿易轴方向超过22 GHz的纯光学模铁磁共振频率。通过改变B掺杂含量从而改变层间交换耦合强度,进一步实现光学模铁磁共振频率在13.69 GHz到22.68 GHz之间调控。此外,研究发现,在一定磁场下,样品的铁磁共振模式可以进行切换,实现超过16 GHz的显著频移。2.探究非磁性层厚度对层间交换耦合作用的影响。通过成分梯度溅射法制备了一系列不同中间层厚度的FeCoB/Ru(tRu)/FeCoB三层膜样品。通过调节中间层Ru的厚度,观察到了两个周期的层间交换耦合类型的振荡变化。该过程可以分为0-2、2-8、9-14.5和16（?）以上四个部分,分别对应铁磁耦合、反铁磁耦合、铁磁耦合、反铁磁耦合。此外,在中间层厚度tRu=2-8（?）的第一反铁磁耦合区内,光学模共振频率高于声学模共振频率。且当中间层厚度tRu=2.5（?）、耦合强度J1=-4.62 erg/cm~2时,光学模铁磁共振频率为20.02 GHz,这意味着反铁磁耦合是提高铁磁共振频率的有效途径。3.利用压电应变对FeCoB/Ru/FeCoB/PMN-PT三层膜样品进行电场调控,探讨了电场调控光学模铁磁共振转向机理。结果表明,在外加电场作用下,光学模共振可以实现90°可逆旋转,由于层间交换耦合作用没有被压电应变破坏,所以保留了三层膜样品中超高光学模共振频率的优点。通过成分梯度溅射诱导的各向异性与压电应变诱导的可调各向异性之间的竞争,改变了磁构型从而产生了光学模共振的可控旋转。且电场调控光学模共振具有良好的可逆性和可重复性,这种电场操作的可重复性为功能器件的设计提供了一条有效的途径。