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通过改进的Lee-Low-Pines变分方法分析了纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO、InxGa1-xN/GaN材料量子阱中自由极化子的能级所受到的影响。给出极化子基态能量、激发态能量、跃迁能量以及电子-声子相互作用对能级的贡献随阱的宽度d和组分x的变化规律。在研究纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO、InxGa1-xN/GaN材料量子阱中,考虑了定域声子模和半空间声子模频率以及介电常数的各向异性。分析得出,在ZnO/Mg0.3Zn0.7O、In0.3Ga0.7N/GaN材料量子阱中,随着阱宽度d的增长,定域声子模对系统能级影响的幅度出现了先增长快速,后增长缓慢,最后趋近于各自体材料的三维值。而半空间声子模对系统能级的影响恰好和定域声子模相反,能级移动最后都趋近于零。在ZnO/Mg0.3Zn0.7O材料量子阱中两种声子模对系统能级的总移动(35meV至66meV)高于In0.3Ga0.7N/GaN材料量子阱中的总移动(16me至31meV)。随着阱的宽度增加,电子-声子作用对基态能量的影响以及极化子基态能量、激发态能量和跃迁能量出现下降。当阱的宽度为7纳米时,在这两种材料的量子阱中随着组分x的增大(范围0.1到0.4),半空间声子模对系统能级的影响都出现了下降趋势,然而定域声子模在Zn O/MgxZn1-x O材料量子阱中对系统能级的影响出现了上升趋势,在Inx Ga1-xN/GaN材料量子阱中对系统能级的影响出现了下降趋势。当量子阱的宽度不同(7纳米和15纳米)时,随组分x增加,电子-声子相互作用对基态能量的影响以及量子阱中极化子基态能量、激发态能量、跃迁能量都出现了增长趋势,而且窄阱中这些物理量的增大趋势大于宽阱中的相应量。通过研究和分析得到,在纤锌矿量子阱中影响极化子能量的因素,不仅和量子阱的结构有关系,而且还和量子阱中电子与各支声子模的相互作用有关系。