ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙半导体,其室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,作为短波长光电子材料在半导体发光器件、半导体激光器以及紫外探测等领域具有非常广阔的发展前景。另外,纳米ZnO其性能会因维度和尺度的限制而表现出很多特有的优越效应,所以近年来纳米ZnO的研究一直都是学术界的研究热点。为了获得高效率的ZnO同质、异质结发光器件,现阶段主要通过掺杂来对ZnO能隙进行改性和剪裁。本论文主要研究ZnO：Eu和ZnO：Li一维纳米结构材料,首先通过燃烧法合成样品并对其进行退火处理,之后对样品的各性能进行测试,寄希望能获得性能良好的ZnO半导体材料。主要结论如下：ZnO：Eu纳米材料：1、600℃退火处理样品,Eu3+离子与主体ZnO形成过饱和固溶体,Eu3+在ZnO禁带内形成一个浅施主能级,此杂质能级的存在增强了样品的紫外发射同时抑制了样品的本征缺陷发射。另外Eu3+掺杂带来的俄歇效应和Fano效应,同样影响着样品的发光性能。2、1000℃退火处理样品,Eu3+离子从主体结构中脱溶析出以Eu2O3的形式在ZnO晶体(0001)面聚集。激发态ZnO本征复合发光可以有效激发此Eu2O3,以此可以通过二次激发途径获得稀土离子的4f壳层发光。ZnO：Li纳米材料：1、600℃退火处理样品为间隙固溶体结构,Li+在主体能隙中提供了一个深施主能级和一个浅施主能级。浅施主能级的存在增强了样品的紫外发射同时抑制了样品与深施主能级相关的绿光发射。2、1000℃退火处理样品后,得晶体结构收缩,c轴方向明显缩短,意味着Li+取代Zn2+形成了置换固溶体。Li+取代Zn2+后不仅形成了一个浅受主能级,使得带隙边紫外发射出现双峰,而且还形成一些深能级。