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本文基于自制三室连续生产式真空可控气氛炉,以大量合成高质量SiC/SiO2同轴纳米电缆为目标,以工业化生产和应用为追求,结合产物产量、宏观和微观形貌及物相结构,系统研究了各工艺参数的影响规律,不断的优化制备工艺,并对产物的生长机理进行了探讨。主要研究结果如下:采用化学气相反应法,以Si粉、SiO2粉和高纯CH4气体为实验原料,系统研究了保温时间,CH4通气时间、通气速率、通气动态变化情况以及物料进炉温度等参数对量产化制备SiC/SiO2同轴纳米电缆产量、宏观和微观形貌及物相结构的影响规律,并