聚合物场效应晶体管有着材料来源广、可制备在柔性衬底上、制备工艺简单、成本低廉、适合大批量生产等优点,近年来一直是有机光电子器件领域的研究热点之一。但是由于聚合物材料存在溶剂互相影响的问题,所以在制备聚合物场效应晶体管的过程中,溶剂的选择一直是一个难题。本文针对这一问题,提出了用聚合物的良性溶剂与不良溶剂来配制混合溶剂的思路,来解决聚合物薄膜间的相溶性问题,对基于P3HT/PMMA体系的聚合物场效应晶体管进行了如下两方面的研究：(1)对P3HT/PMMA场效应晶体管的功能层进行研究。通过对不同溶液浓度旋涂成膜,发现使用50mg/ml PMMA的乙酸乙酯溶液在1000rpm转速下旋涂40秒,可以得到400nm的PMMA膜,根据过去实验400nm适合作为器件绝缘层。提出使用聚合物材料的良性溶剂氯仿与不良溶剂环己烷,以3：7的体积比配成混合溶剂,来溶解P3HT半导体层材料。这样就可以降低在旋涂P3HT半导体层时溶剂对PMMA绝缘层的影响,从而提高器件的成膜性,制备出分层明显的双层聚合物器件。(2)对P3HT/PMMA场效应晶体管的优化条件进行探索。本文分别对退火方法、退火温度和金属电极的选取三个方面进行研究。结果表明：在80℃下对P3HT半导体层进行前退火,退火处理后再进行电极的蒸镀,并且采用功函数相对于P3HT的HOMO与LUMO接近的Au/Al源漏电极,在此条件下制备的器件具有较好的性能。通过优化使得P3HT/PMMA场效应晶体管的载流子迁移率从5.6×10-6cm2/V·s提高到5.51×10-5cm2/V·s。