【摘 要】
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首先,我们计算了有限深GaAs-AlGaAs量子阱中激子的束缚能,其中考虑到了阱和垒两种材料中电子和空穴的有效质量以及介电常数的失配影响,我们计算得到的激子的束缚能及相关能与
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首先,我们计算了有限深GaAs-Al<,0.33>Ga<,0.67>As量子阱中激子的束缚能,其中考虑到了阱和垒两种材料中电子和空穴的有效质量以及介电常数的失配影响,我们计算得到的激子的束缚能及相关能与前人的理论结果和实验结果基本上相符合.然后,我们用二维等效势模型,把阱中激子等效为二维激子,计算得到了参数α<,x>和γ<,x>随阱宽的变化.对于有限深GaAs-Al<,0.33>Ga<,0.67>As量子阱中的带电激子,仍然采用二维等效势模型.
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