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随着无线通信技术和CMOS工艺的不断发展,采用CMOS工艺实现射频集成电路能够做到低成本、低功耗、高集成度的要求,本文将采用CMOS工艺对无线射频前端电路中的一个重要模块—低噪声放大器进行设计,设计要求低噪声放大器应当具有低噪声、低功耗、阻抗匹配、高线性度的特点。由于CMOS无源器件极大地影响着射频集成电路的性能,本文首先讨论了在TSMC0.18μm CMOS工艺下的无源器件,同时本文基于MOSFET的噪声源及短沟道器件的物理效应,系统分析了低噪声放大器的噪声性能,详细研究了漏极电流噪声和栅极感应噪声,通过对MOSFET的噪声分析,提出了MOSFET高频噪声模型,并分析MOSFET的各个噪声源对于电感源极负反馈低噪声放大器的影响并得到了计算其噪声系数的表达式。本文还对低噪声放大器的非线性进行分析,并利用volterra级数分析了共源极放大器的非线性,定性地指出低噪声放大器设计中功耗、噪声、增益和线性度之间存在的制约关系。本文通过分析各种低噪声放大器的结构,指出共源共栅电感源极负反馈结构相比较其他结构的优点,详细分析了共源共栅电感源极负反馈结构的噪声性能,提出了在低噪声放大器的设计中,需要在噪声系数、功耗和栅过载电压之间折中考虑,基于以上分析,本文讨论了共源共栅电感源极负反馈结构的噪声优化技术,其中重点讨论了在功耗约束的情况下的噪声优化技术。。最后基于蓝牙通信的应用,本文采用了TSMC 0.18um工艺设计了一个工作频率在2.45GHz的单端结构低噪声放大器,该放大器的噪声系数为2.375dB,三阶交调点为-8.48dBm,对于1.8V供电电压,功耗为9.8mW,这个结果表明,提出的理论分析可以较为精确的预测低噪声放大器的噪声性能。