本文利用线性组合算符、LLP幺正变换和pekar变分法相结合的方法,从理论上研究了置于不同极性衬底上的单层过渡金属硫族化合物能谷极化子在弱耦合情况下的有效质量的重正化和基态能量,其中考虑了材料固有的体纵光学声子模和极性衬底诱导的表面光学声子模。我们重点讨论了光学声子模截止波矢量k、单层过渡金属硫族化合物的本征极化率参数η0、极性衬底与单层过渡金属硫族化合物之间的内部距离z0以及电子自旋(但忽略自旋轨道耦合的影响)对能谷极化子有效质量重正化和基态能量的影响,并初步给出了极化子有效质量的重正化对单层过渡金属硫族化合物的迁移率的影响以及带隙调制的一些可行方案。研究发现1.在有(无)磁场情况下通过替换不同的极性衬底或调整单层过渡金属硫族化合物与极性衬底之间的内部距离z。可以显著改变单层过渡金属硫族化合物能谷极化子的有效质量和基态能量。其中有效质量和基态能量的变化范围都随极性衬底的极化率参数η的增加而增加,随内部距离z0的增加而减小,极性衬底在改变单层过渡金属硫族化合物的迁移率和带隙调制中起着重要作用。2.在有(无)磁场情况下单层过渡金属硫族化合物中能谷极化子的有效质量和基态能量随本征极化率参数η。的增加而增加,但增加幅度较小,材料本身在改变单层过渡金属硫族化合物的迁移率和带隙调制中也起着一定作用。3.在有(无)磁场情况下单层过渡金属硫族化合物能谷极化子有效质量和基态能量随截止波矢量k的变化明显。其中有效质量随k的增加而增加,在k<4×109m-1时急剧变化,在k>4×109m-1时趋于平缓;基态能量随k的增加而减小,在k<4×109m-1时急剧变化,在k>4×109m-1时趋于平缓,即电子与光学声子在小波矢范围内发生强烈地耦合作用,这与实验观测结果一致。4.电子自旋对单层过渡金属硫族化合物能谷极化子有效质量和基态能量的影响并不明显(本文只考虑了电子自旋而未考虑自旋轨道耦合),因此电子自旋对单层过渡金属硫族化合物的迁移率和带隙调制的贡献较小,在实际操作过程中可以不用考虑。