单层二硫化钨的可控生长和物性研究及其光电探测应用的探索

来源 :燕山大学 | 被引量 : 2次 | 上传用户：landywww

【摘要】

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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技

【作者】

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贾志研

【出处】

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燕山大学

【发表日期】

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2018年01期

【关键词】

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单层二硫化钨单晶单层二硫化钨薄膜晶圆尺寸迁移率响应率

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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技术领域,包括主机、控制电路和计算机三部分组成,主机包括由棱镜。敏感膜敏感芯片、半导 Ue*M#

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