基于二氧化钒记忆效应的太赫兹波编码

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太赫兹(THz)波位于电磁频谱的微波和红外区域之间,是当下最热门和前沿的研究区域之一。其在安全扫描、生物医学成像、材料表征、超快速电子学和5G通信(以及更高性能的通信发展)等领域有着广泛运用前景。为了这些实现太赫兹波的这些功能性应用,我们常需要主动的取操控太赫兹波。随着科学技术的发展,围绕着太赫兹波的主动操控,也发展了很多器件(太赫兹波调制器、太赫兹波传感器、太赫兹波收发器以及太赫兹波超材料器件),但是有关太赫兹波的存储器的研究是很稀少的。太赫兹波记忆器件研究将有效的解决太赫兹波运用中经常遇到的脉冲同步的问题,并且这种记忆保持,使得我们在其存储期间可以对器件有更多的操作,因此对于太赫兹波记忆器件的研究将具有重要的意义。在本论文的工作中,我们提出了一种全光驱动的太赫兹波编码存储方案。本论文主要包含了五个部分的内容。第一部分工作,介绍了太赫兹时域光谱以及二氧化钒薄膜(VO2 Film)的运用;第二部分工作,相变材料(PCM)以及二氧化钒的相变原理(包含了相变材料的化学构成,二氧化钒薄膜相变过程表现的晶体结构特征以及性质);第三部分工作,包含了二氧化钒薄膜的制备以及表征,基于菲涅尔衍射积分的方法设计了线栅式的电极,通过对对电场的调控使其发生相变,同时通过太赫兹时域光谱对其进行实验表征和分析,为记忆实验做准备;第四部分工作,提出了全光驱动的太赫兹波编码存储系统,详细介绍了实验所用光学系统的工作原理;基于THz-TDS和现有实验器材,设计了全光驱动的太赫兹记忆存储实验的实验系统,并介绍了其工作流程和注意事项。第五部分工作,基于全光驱动的太赫兹波编码存储系统,运用连续激光(CW laser)进行了全光驱动下的太赫兹波开关,太赫兹波编码存储(包括:两位编码和多位编码存储)并且表征和分析了其存储时间及稳定性,最后在全光驱动的太赫兹波编码存储系统的基础上,我们通过飞秒激光代替连续激光进行了光写入,首次利用非热激发的二氧化钒薄膜设备实现了太赫兹波的记忆存储。通过我们提出的全光驱动的太赫兹波编码存储方案,将有效的解决太赫兹波运用中的激光脉冲同步的问题,使得太赫兹波的运用将不再受到脉冲同步的限制,可以在相关的应用中对太赫兹源有更多的选择、有更多不同的系统设计。
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