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光折变（PR）材料是一种具备光致折射率改变效应的材料。光折变材料可以作为媒介应用于全息显示、高密度光学存储、相位共轭和模式识别等，因此受到很大的关注。 近年来，我们课题组设计合成了多个系列含空穴传输体和非线性生色团（NLO）的双功能光折变材料。为了测试了上述材料的光折变性能，本论文搭建了一套二波耦合（TBC）实验装置。以Cz-Azo为光折变材料，探讨了各组分比例、测试条件与光折变性能之间的关系。得到了优化的器件组成为：样品/ECZ/C60=69/30/1（wt％）。测试条件为光照波长633 nm、外加场强为12.5V/μm和膜厚80微米。后面的测试都是在这些条件下进行的。 第一部分探究三个系列含偶氮生色团的光折变材料的光折变性能。在样品CRA-C-Cz（100）-Azo（0）和CRA-H-Cz中没有观察到二波耦合信号。在CRA-C-Cz（100-x）-Azo（x）（x=75,50,25）和CRA-H-Cz-xAzo（x=2,4,8）中均观测到光折变效应，其二波耦合增益Γ分别为8.76、10.54、10.95cm-1和14.25、17.84、9.76cm-1。由于CRA-C-Cz（0）-Azo（100）成膜质量不好，没有检测到相应器件信号。可见器件中生色团和电荷传输体的量都要适中，否则会对器件的光折变性能产生负面影响。最后在P6、P7、P8系列器件中均观察到了全光光折变现象。在零电场下的Γ分别为20.72、30.24、52.06cm-1，在12.5V/μm外加电场Γ达到了60.57、84.77、101.05cm-1。 第二部分探究两个系列含次甲基生色团的光折变材料的光折变性能。首先用小分子CMA、MN、SN、CSN制成器件，均观测到光折变效应，其Γ分别为12.73、10.24、22.05、32.82cm-1。然后测试 CRA-CMA、CRA-MN、CRA-SN、CRA-CSN和CRA-CSN（100-x）-CZx（x=25,50,75）制作的一系列器件，其Γ分别为32.75、20.25、55.74、78.2cm-1和68.4、46.92、28.1cm-1。可看出这些样品的光折变性能与其小分子器件的性能相比均有了明显的提高。且随着样品中生色团的减少其光折变性能下降。最后测试了P15、P16器件的光折变性能，其在零电场下的Γ分别为22.63、12.68cm-1。