目前,在工业生产上,Si太阳电池正在经历从第一代晶体硅电池向第二代薄膜电池的转变。在实验室中,对以薄膜叠层电池为代表的第三代高效太阳电池的研究与开发已成为人们研究的重点。微晶硅和微晶硅锗薄膜由于具有良好的光学稳定性、较大的电子迁移率、较窄的光学带隙被应用于叠层电池的中间层或底层,成为降低成本、提高电池效率的关键材料。在本论文研究中,我们用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在低温下制备了微晶硅薄膜和微晶硅锗薄膜,对这些薄膜的生长机理、结构形态和光电特性进行了较为系统地研究。首次以Si3H8作为硅源气体,制备了非晶硅太阳电池。论文的主要研究内容和所获得的主要研究结果总结如下：1、在用PECVD法制备微晶硅薄膜过程中,发现在稀释气体中加入Ar,能有效提高薄膜的生长速率和晶化率。基于所获得的实验结果我们认为,H2和Ar在微晶硅薄膜的生长过程中对低温晶化都有积极的作用：H2能够增加吸附先驱物的移动性,饱和悬挂键；Ar能增加源气体的分解效率,而且激发态的Ar*与薄膜生长表面碰撞释放的大量热能,能够对生长表面进行化学退火,从而提高了薄膜的晶化率。2、在低温下制备了微晶硅锗薄膜,研究了H2和Ar流量对微晶硅锗薄膜的结构和光电性质的影响。实验结果表明,随着Ar流量的增加,微晶硅锗薄膜的晶化率显著提高；随着H2流量的增加,薄膜致密度和光电性能显著提高。3、首次采用Si3H8作为源气体用PECVD方法制备了非晶硅太阳电池,发现电池的效率比用SiH4作为源气体制备的电池效率有大的提高。证明了用Si3H8制备的Si薄膜均匀致密,定域态态密度较低,Si3H8是一种优质的制备Si太阳电池原料气体。