近年来,随着芯片特征尺寸达到数纳米级,通过减小特征尺寸以提高芯片性能的技术路线已达瓶颈。通过层叠封装（Package on Package-PoP）这种先进封装技术实现多芯片堆叠以提高芯片性能成为封装技术的热点研究方向之一。PoP封装使得芯片堆叠密度增加、引脚尺寸减小并且需要多次回流实现连接,因此会导致在回流工艺过程中因多芯片产生复杂的翘曲、小尺寸焊点性能不足等问题。为降低连接温度、提高焊点性能,本文通过Sn-3Ag-0.5Cu（SAC305）和Sn-58Bi两种焊料不同配比搭配构成复合焊点构建适用于PoP封装多道次回流的焊料体系,探究不同配比对焊料的组织和性能的影响。针对复合焊点在Au/Ni/Cu和Au/Pd/Ni/Cu焊盘上连接,分析不同工艺下的组织形貌和失效行为,探究复合焊点在两种焊盘上的最佳连接工艺。探究Co元素添加对复合焊点的组织和性能的影响,优化焊点性能。对SAC305-SnBi复合焊料体系,根据不同配比下测得的焊料熔点拟合得到复合焊料熔点随着SnBi占比变化的函数并通过热力学计算验证拟合结果。对不同配比的焊点组织形貌进行分析,随着SnBi占比的增加,焊点内共晶组织逐渐增多,Bi相颗粒逐渐粗化。界面处金属间化合物随着SnBi含量的增加由于Bi相对金属间化合物生长的抑制导致不均匀的针棒状组织转变为较平缓均匀生长的扇贝状组织,这导致当SnBi占比较低时,焊点主要在金属间化合物处断裂,当SnBi占比较高时,焊点主要在焊球内部断裂。当w（SnBi）=0.667时焊点强度最高,达到62.2MPa,比纯Sn-58Bi焊点提高5.1MPa,远高于SAC305焊点强度（约30MPa）。对复合焊点与Au/Ni/Cu和Au/Pd/Ni/Cu焊盘连接的最佳工艺参数进行探究。工艺参数为峰值温度和液相保温时间。Au/Ni/Cu焊盘上界面金属间化合物（Cu,Ni）6Sn5呈分立的多边形颗粒状分布。相同峰值温度下,焊点剪切强度随着保温时间增加先上升后下降,在保温时间为460s时达到最大值;相同液相保温时间时,随着峰值温度的上升,焊点的剪切强度先上升后下降,最佳连接工艺为200℃保温460s,剪切强度达到63.67MPa。复合焊点和Au/Pd/Ni/Cu焊盘的界面金属间化合物为针棒状生长的（Cu,Ni,Pd）6Sn5。相同峰值温度下,随着保温时间的上升,由于针棒状金属间化合物在回流过程中受到力的作用发生断裂,其剪切强度呈波动变化;相同保温时间时,随着峰值温度的上升,焊点的剪切强度先上升后下降。最佳连接工艺为200℃保温300s,剪切强度达到75.08MPa。对0.5 wt%的Co元素添加的Au/Pd/Ni/Cu-焊点进行组织分析。界面金属间化合物从针棒状的（Cu,Ni,Pd）6Sn5转变为颗粒状的（Cu,Ni,Co,Pd）6Sn5,随着保温时间的增加,Co添加的焊点界面金属间化合物发生从（Cu,Ni,Co,Pd）6Sn5向（Ni,Cu,Co,Pd）3Sn4的转变。添加的Co元素在焊点内部主要以固溶的形式存在,使得焊点内的Sn相和Bi相硬度提高,模量降低。0.5 wt%Co元素添加使OSP-焊点在峰值温度为180℃时,焊点剪切性能明显提高,最大提高幅度达22.65MPa,使复合焊点在较低的连接温度下具有较强的性能。