【摘 要】
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该文进行了几种贵金属单取代的钨磷酸盐{α-[PWMO](M=Ir,Pd,Rh)}掺杂聚吡咯薄膜化学修饰电极的研究.在合成和表征贵金属单取代钨磷酸盐的基础上,通过电化学方法使吡咯单体在
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该文进行了几种贵金属单取代的钨磷酸盐{α<,2>-[P<,2>W<,17>MO<,61>](M=Ir<Ⅳ>,Pd<Ⅱ>,Rh<Ⅲ>)}掺杂聚吡咯薄膜化学修饰电极的研究.在合成和表征贵金属单取代钨磷酸盐的基础上,通过电化学方法使吡咯单体在固体电极表面形成具有导电性和带正电、荷的聚合物薄膜.将具有氧化还原活性的贵金属单取代钨磷酸盐的大取阴离子掺杂到聚吡咯骨架中,制成了对NO<-><,2>的电还原有选择性催化作用的贵金属单取代钨磷酸盐掺杂聚吡咯薄膜化学修饰电极,并探讨了电聚合掺杂条件和电极性能.从电分析化学的角度出发,研究了该类修饰电极对NO<-><,2>离子电还原的催化过程.结果表明,它们可以作为NO<-><,2>的电化学传感器.研究了Dawson型钨磷杂多酸的合成及相关性质,并深入研究了贵金属单取代Dawson型钨磷杂多酸我性质.该研究对杂多酸化学修饰电极研究的深化、贵金属单取代的钨磷酸盐的研究及其在分析化学中的应用有一定的开拓意义.
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