【摘 要】
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该文研究的主要目的是:通过改进Ag-TCNQ电双稳态薄膜的制备工艺,以期获得表面颗粒细小、分布均匀、平整有序的薄膜;在此基础上,对其电双稳态特性进行深入细致的研究.研究的主
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该文研究的主要目的是:通过改进Ag-TCNQ电双稳态薄膜的制备工艺,以期获得表面颗粒细小、分布均匀、平整有序的薄膜;在此基础上,对其电双稳态特性进行深入细致的研究.研究的主要内容与成果如下:1)在薄膜制备工艺中,引进后热处理工艺,确立了合适的热处理工艺条件(温度约120℃,处理时间为30min),制备获得了颗粒细小均匀的Ag-TCNQ薄膜,颗粒大小可达20nm,比传统的热蒸发制备的薄膜提高了一个数量级.并通过各种分析手段如可见光透射谱、XRD、FTIR等对热处理效应进行分析、解释.2)利用XPS对各种样品(TCNQ粉末、薄膜,热处理前后的Ag-TCNQ薄膜)进行分析,主要比较了N 1s、C 1s谱图.3)利用电极夹层结构和STM两种方式对Ag-TCNQ薄膜进行电双稳态特性的研究,在此基础上,获得了纳米存储点阵,大小为20nm,并制备了长约450nm的纳米导线.4)研究了电场对成膜过程的影响,通过STM扫描图像及电特性测试,可知电场能降低薄膜的阈值电压,测得的阈值电压值低于1V,并能使薄膜颗粒产生一定程度的取向排列.
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