随着微电子制造工艺的发展,集成电路的特征尺寸逐渐缩小,目前已经进入纳米时代。纳米集成电路具有出色的性能、强大的功能和较低的功耗,广泛应用于电子通信、计算机、航空、航天、军事和消费电子等设备中。然而,纳米集成电路中不断降低的电源电压、越来越高的工作频率、持续减小的节点电容和高速增长的芯片复杂度使得电路对环境的影响越来越敏感。当电路受到高能粒子及外界噪声等干扰时,这些因素可能破坏芯片的内部状态,使集成电路发生错误。由于这种错误具有瞬态、随机和可恢复的特点,因此被称为“软错误”。在纳米级工艺条件下,软错误是引起集成电路失效的主要原因。频繁发生的软错误将导致集成电路的可靠性降低,严重影响了系统的稳定性。随着工艺的进步,纳米集成电路中的软错误问题越来越突出,可能引起数据误差和运行错误,甚至导致整个系统崩溃。特别对于应用在航空、航天和军事等设备中的集成电路,由于所处环境复杂、可靠性要求很高,软错误问题更是设计中最严峻的挑战之一,需要采取特别措施进行保护。本文面向纳米级工艺,深入研究了集成电路中软错误的分析和缓解技术。研究对象主要包括对集成电路整体软错误率影响较大且难以保护,或保护开销较大、成本较高的组成部件或电路结构。研究目的并不是要完全消除纳米集成电路中的软错误,而是希望以较低的代价尽可能缓解软错误对集成电路可靠性的影响,强调高效率、低开销的保护技术。本文针对以上内容展开研究,主要取得以下研究成果:一、相联存储器软错误分析与缓解技术研究。相联存储器是集成电路中对软错误最敏感的部件之一,但是其结构特点决定了不能使用错误保护码等传统容错方法进行保护。论文分析了相联存储器中软错误发生的机理和概貌,研究了将稳定结构应用于相联存储器单元的加固方法,并提出两种基于双单元冗余的可靠单元结构——双单元反馈和双单元保持可靠CAM单元,以及一种基于双单元结构的错误保护机制——抛弃机制。针对相联存储器单元加固的限制,论文还提出一种基于三值匹配线的容软错误相联存储器结构,能够检测相联存储器中的任意一位错误,结构简单高效。实验表明,所提出的技术能够以较小的开销有效地缓解相联存储器中的软错误问题。二、高效的时序电路软错误缓解技术研究。时序电路是集成电路的重要组成部分。在纳米级工艺下,时序电路对软错误变得非常敏感。传统基于冗余的加固方法虽然可以解决时序电路的软错误问题,但是加固效率较低,面积开销偏大。论文对不同结构寄存器的可靠性进行分析和比较,并设计了一种低开销的可靠动态寄存器DMTS-DR。论文还提出一种基于贪婪算法的时序电路敏感寄存器替换技术,只需将对电路软错误率影响最大的部分敏感寄存器替换为冗余寄存器,就能够有效降低电路的软错误率。针对贪婪算法有时不能达到可靠性和开销整体最优的局限,进一步提出可靠性-开销最优的启发式替换算法。实验表明,所提出的技术在可靠性和面积开销间达到了很好的折中,效率较高。三、动态电路软错误易感性分析与优化技术研究。动态电路具有突出的性能优势,广泛应用于高速电路的设计中。然而动态电路对软错误非常敏感,严重限制了其应用。目前针对动态电路软错误问题的研究较少。论文分析了动态电路的软错误敏感性,并对软错误敏感性最高的几种情况推导出临界电荷的解析分析模型。针对该分析模型计算复杂性较大的问题,论文对模型进行适当近似,得到线性的简化模型,不仅可以用于手工分析动态电路的软错误易感性,还可降低自动化分析工具的计算量。基于简化分析模型的指导,论文提出五种动态电路软错误易感性优化技术,并进行分析和比较。实验表明,所提出的模型达到了较高的精度,优化技术在一定程度上缓解了动态电路软错误率较高的问题。四、低开销的运算单元软错误缓解技术研究。运算单元是微处理器和集成电路中的核心元件,其正确性直接影响系统的可靠性。在纳米级工艺下,运算单元中的软错误将不可忽视。传统的运算单元软错误保护方法会带来较大的开销。针对这个问题,论文提出利用运算单元中大量存在的固有冗余资源进行容错而降低开销的方法,并以一个并行加法器为例研究具体的实现技术。论文提出了一种开发加法器中固有硬件和时间冗余资源用于容软错误的并行加法器结构STPA,并针对该结构研究了一种基于故障注入的高效软错误评估方法。实验表明,所提出的技术充分开发了电路的固有冗余资源,能够较好地缓解运算单元中的软错误问题,开销很小。以上研究成果为分析和缓解纳米集成电路的软错误问题探索了一些可行的方法,为进一步提高纳米集成电路的可靠性提供了理论和实践基础。