【摘 要】
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该文根据离子和电子在托卡马克磁位形中运动轨迹的差异性及离子在梯度磁场与曲率漂移作用下横越较大磁面空间的模型,提出用中性束切向注入局部区域的方法产生和控制径向电场.
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该文根据离子和电子在托卡马克磁位形中运动轨迹的差异性及离子在梯度磁场与曲率漂移作用下横越较大磁面空间的模型,提出用中性束切向注入局部区域的方法产生和控制径向电场.选择合适的注入方向,使由注入的中性粒子电离产生的方法产生的高能离子走扩张轨迹或压缩轨迹,可形成负或正的径向电场.为适应超导聚变实验装置改善约束所需的壁处理,在HT-7超导托卡马克上首先发展了ICRF放电壁处理技术,并表现出比常规壁处理技术优越多的特性:成膜质量好、均匀、材料利用率高、省时和放电功率调节范围大.经过几年的实验研究,逐渐成熟起来,成为HT-7常规的处理程序.
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