随着各国航空航天事业的不断发展,越来越多的电子系统运用于航天设备中。而电子元器件一旦暴露在温度多变、辐射强度极高的太空环境中,其可靠性将势必受到严重影响。集成电路的工艺尺寸不断缩减,时钟频率,各类寄生效应的影响不断增加,这些因素促使国内外对辐射效应的研究逐渐聚焦在模拟电路的单粒子瞬态效应(SET)上,SET效应成为所有单粒子效应(SEE)中对软错误率贡献最大的辐射效应。在模拟电路中,单个高能粒子撞击器件敏感节点时,会在器件内部产生过量载流子从而引起在电路总输出电压的瞬态波动。基于运算放大器在模拟以及混合电路设计中的重要地位以及SET效应研究的必要性,本文选定折叠共源共栅放大器作为研究对象,主要对SET效应的作用机理及敏感性进行分析并分别针对放大器电路的各组成部分采用两种电荷抵消加固方法并进行了相应的分析和验证。首先在对模拟电路中的SET效应作用机理及影响进行详细了解的基础上,采用SMIC 0.18μm工艺,设计出符合一定性能指标的折叠共源共栅放大器电路;然后运用工艺计算机辅助设计系统(TCAD)建模工具选取出放大器各部分的SET敏感节点。在此过程中首先要对电路中的各MOS器件进行多维建模并运用建立好的模型对整体电路进行混合仿真研究,之后采用临界电荷值、总输出Vout发生翻转的瞬变脉宽以及波谷值等参数对放大器敏感节点进行选取;最后,对电路各部分敏感节点进行抗SET效应加固设计,运用多敏感节点自电荷抵消技术(M-SNACC)以及差分电荷抵消(DCC)布局技术分别对运算放大器进行电路级和版图级的加固设计。给出整体加固版图及相应仿真结果并对加固前后放大器各性能指标的变化进行研究分析。