锗量子点（Ge QDs）和硅纳米线（SiNWs）作为半导体纳米材料,具有优异的光电特性。Ge QDs具有独特的近红外吸收特性,SiNWs具有较好的减反射特性,将它们应用于光伏电池中,可以极大的拓宽光谱的吸收范围,减少光的反射,提升光伏电池的转换效率。本文采用磁控溅射技术,实现了C诱导高密度Ge/Si量子点的生长。采用金属辅助化学刻蚀法（MACE）,在n型硅衬底上制备了一系列的SiNWs阵列。通过磁控溅射方式制备了欧姆接触的Ag电极,并组装了硅基纳米材料（Ge QDs/Si、SiNWs）与有机材料PEDOT:PSS相结合的光伏电池,主要进行的工作如下:1.采用直流磁控溅射技术制备高密度的Ge QDs,通过调节Ge层生长温度和厚度,探究Ge QDs的密度、尺寸及结晶性的变化规律。实验过程中,预先沉积C诱导层可以增加Ge QDs形核中心的数目,降低SiGe浸润层的厚度。实验结果表明:随着生长温度的升高,Ge QDs的密度和结晶性均先增大后减小,在650℃时达到最优值,其密度高达1.01×10¹¹ cm^-2、结晶分数为83.7%。当Ge层沉积厚度在1.5².5 nm时,相同制备条件下,Ge薄膜沉积的越厚,Ge QDs的密度越大。2.采用MACE方法,在Si衬底上刻蚀SiNWs阵列。研究结果表明:Ag沉积溶液的浓度（C₁=HF:AgNO₃）和沉积时间（t₁）会影响SiNWs的形貌结构,当C₁=4.5:0.01 mol/L、t₁=90 s、HF:H₂O₂=4:1mL时,制备的SiNWs形貌完整,尺寸均匀,刻蚀速率约为1.38μm/min。并且,SiNWs的反射率随其长度增加而降低。3.采用磁控溅射方式在硅衬底上溅射Ag导电薄膜,并对样品进行退火处理,最终得到了欧姆接触的Ag电极。实验结果表明:溅射功率及气压会影响Ag导电薄膜的致密性,退火可以减少缺陷密度和晶界数目,提高其结晶性,从而降低接触势垒。接着组装了硅基纳米材料（Ge QDs、SiNWs）与有机物PEDOT:PSS相结合的光伏电池,并测试了其I-V特性曲线。光伏电池的短路电流密度和功率转换效率均得到明显提升,其中SiNWs型光伏电池的效率达到了7.10%。