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近年来,石墨烯基半导体复合材料在光催化领域得到了广泛关注和应用。石墨烯作为一个二维平面导体,能够接受并促进半导体光生电子的传导与转移。因此,如何高效利用石墨烯的导电性来提高石墨烯基半导体复合材料在光催化应用中的性能显得至关重要。由于光生电子在半导体和石墨烯界面之间进行传导,因此在制备过程中如何获得具有良好界面接触的石墨烯基半导体复合物对于充分发挥石墨烯的导电特性非常关键。此外,在保证石墨烯与半导体之间良好界面接触的前提下,优化其界面微观结构组成来改善界面电子转移路径是进一步提高石墨烯基半导体复合物光催化活性的另一值得关注的重点。在本论文中,首先利用氧化石墨烯(GO)的“结构导向”作用,采用温和的水热法,制备出具有层级结构的硫化铟/氧化还原石墨烯(In2S3-RGO)复合材料。进而采用两步法,首先制备出负载贵金属钯的氧化石墨烯复合物(Pd-GO),然后利用湿化学法制备出具有层级结构的三元硫化铟/氧化还原石墨烯/钯(In2S3-RGO-Pd)复合材料。以可见光下选择性氧化一系列醇类化合物为探针反应,评价制备出的复合材料的光催化性能,并对复合物的晶相、光吸收、形貌、比表面积和孔结构性质等进行了相关表征。具体表征测试包括:X-射线粉末衍射(XRD)、紫外-可见漫反射光谱(DRS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、红外光谱测试(FT-IR)、电化学分析以及荧光光谱(PL)等。得出的结论如下:1、制备出的层级结构In2S3-RGO复合材料具有良好界面接触,与空白花状In2S3相比在可见光选择性氧化醇类化合物时表现出显著提高的活性。原因主要归结于层级结构复合材料中光生载流子的有效分离和转移效率及其较大的比表面积。2、贵金属Pd纳米粒子的引入并未改变In2S3-RGO复合材料的层级结构,但可以进一步提高其在可见光下对选择性氧化一系列醇类化合物的光催化活性。原因主要是少量金属钯纳米粒子的引入,不仅调控了硫化铟和石墨烯之间的微观界面结构组成,通过电子传导接力促进了光生电子在界面间的转移,而且它可以和石墨烯一起作为双助催化剂,促进光生电子空穴对更有效的分离,从而进一步提高了三元In2S3-RGO-Pd复合材料的可见光光催化活性。