低受限度体系晶体同质变体生长机理研究

来源 :中国科学院上海硅酸盐研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zgs352262
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现有晶体生长理论体系与晶体生长实际存在距离.该文正是从晶体同质变体的生长机理研究入手,试图对晶体生长这一复杂系统认识上进行更深入的探索.在该文的制备实验部分,进行了二氧化锆、二氧化钛晶体同质变体水热法制备,系统总结了前驱物、反应介质形式及酸碱性、反应介质离子种类与浓度、反应温度、反应时间等水热反应条件与晶体同质变体生成(产物物相)及特性(生长形态、粒度、团聚度等)的关系.在获取反应介质常温拉曼光谱、加电场水热生长实验数据的基础上,提出了晶体生长"基元过程"的观点,给出了微观尺度上晶体同质变体成核和结晶过程图像,生长体系环境相的特性集中体现在各类生长基元的结构形式上;生长基元的结构形式与介质酸碱性、杂质离子种类和浓度、前驱物形式及预处理紧密关联.该文工作说明,生长基元是晶体生长(特别是低受限度体系)过程中确实存在的、介于非晶相与晶相之间的过渡态,生长基元把生长过程中晶体的结构、生长物理化学条件、晶体生长形态紧紧地联系在一起.生长基元模型,或者说晶体生长的基元的观点是正确的.
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