拓扑Dirac材料通常具有被时间反演对称性保护的拓扑能带结构,因而具有较强的抗背散射能力。最近发现的过渡金属五碲化物ZrTe5,被认为是拓扑Dirac半金属,在其层状结构中拥有着高迁移率特性。其拓扑表面态自旋分辨的特点也能极大的减小电子间散射,因此在无能耗输运和未来的自旋电子学中很有应用潜力。人们对纳米线(Nanowire)器件的输运和自旋相关注入、检测的研究一直在进行中。一直以来,作为纳米线(NW)的主要材料都是半导体,近年来已经扩展到拓扑绝缘体领域,但目前还没有人对ZrTe5材料的自旋注入和检测进行过研究。ZrTe5材料同时拥有半金属性质和拓扑表面态特性,其输运性质的研究将具有十分重大的意义。本文以ZrTe5纳米线(NW)为主要研究材料,利用高性能的设备和完善的微加工工艺,制备了自旋阀器件。用低温锁相输运测量系统,在non-local和local两种不同结构的测量模式下,检测到了不同磁阻变化情况。我们发现:1.在non-local测量结构下,我们检测到具有电阻平台信号的磁阻(magnetic resistance,MR)曲线,该信号在不同温度下都十分稳定。我们判断该信号来自于ZrTe5拓扑表面态自旋动量锁定的贡献。在文章中,我们分析了这种特殊的测量结构中,只改变电流方向不能改变电阻台阶方向的原因。随后的实验中,我们发现改变电流注入端扩散电流的方向,由自旋动量锁定引起的电阻台阶也随之反向。最后,在对照试验组金(Au)纳米线(NW)的器件中,该测量模式下我们并没有发现明显的磁阻变化。2.我们在local测量结构下,也测量到类似于磁滞回线的电阻平台信号,并且发现信号随着电流方向反向而反向。这让我们更加确信其来自拓扑表面态导电的自旋动量锁定的贡献。3.我们证实了在local模式下的“双峰”磁阻曲线来自于铁磁电极的各向异性磁阻(AMR)特性。在文章中,我们对该信号来自于自旋注入的贡献这一种情况,进行了质疑和检验。对比实验中,我们用金(Au)替换掉ZrTe5材料,做了相同结构的自旋阀器件,并用相同的方法检测磁阻的变化情况。我们发现,磁阻的变化率会和整个回路的总电阻成反比例关系,即磁阻变化是固定值。该信号来自于铁磁电极的各向异性磁阻(AMR)。