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本文通过直流磁控溅射技术在单晶Si(111)基底上沉积UO2薄膜,在相同工艺条件不同沉积时间下分别制备了三组薄膜。通过扫描电子显微镜,原子力显微镜,X射线衍射仪以及X射线光电子能谱仪对所制备薄膜的表面形貌,粗糙度,相结构以及元素化学状态进行了分析。通过反射光谱仪和椭偏光谱仪对薄膜的光学性质进行了测量和分析。研究了不同厚度下薄膜的表面形貌,粗糙度,相结构以及元素状态和光学性质。利用几种不同的厚度测量方法分别对所制备的薄膜厚度进行了测量,并进行了分析比较。研究表明随着沉积时间的延长,薄膜的厚度增加,粗糙