本文通过模拟计算γ射线以及电子在CMOS图像传感器像元中的沉积能，分别对γ射线以及电子对CMOS图像传感器光电二极管的辐照损伤进行了分析，并对三种不同像元尺寸的损伤程度进行对比。选取了5种不同像元尺寸的商用CMOS图像传感器，通过在60Co源辐照下，对图像暗电流进行分析。通过对光电二极管辐照损伤研究，选取7种重金属氧化物玻璃对其屏蔽性能进行对比，并得到适当透明材料进行防护，延长CMOS图像传感器在复杂源项下的工作寿命，对在复杂辐射源项下使用商用CMOS图像传感器的普及有推进作用。　　GEANT4模拟后发现低能γ射线对沉积能的贡献最大。对于不同尺寸的光电二极管，在栅氧化层 SiO2中，当入射光子能量小于0.04MeV时，在SiO2中的沉积能随着像元尺寸的增大而增大，当能量大于0.04MeV时，5μm像元尺寸的沉积能最大，并且低能时的沉积能要远大于高能，因此，在屏蔽时着重考虑低能射线的防护。在衬底 Si中，沉积能随着像元尺寸的增大而增大，对于整个模型，同样沉积能随着像元尺寸的增大而增大。　　像元内沉积能随入射电子能量的增加而增加。对于栅氧化层，三种不同尺寸像元的沉积能变化不明显；对于衬底Si，沉积能随像元尺寸的增大而增大；对于整个模型，同样沉积能随着像元尺寸的增大而增大。　　实验发现图像暗电流会出现突变阈值，暗电流随着剂量率的增大而增大。随着辐照时间的不断增加，暗图像平均灰度会出现突变阈值，不同图像传感器的突变阈值不同，像元尺寸与突变阈值没有直接关系。　　MCNP模拟发现，重金属氧化物玻璃质量衰减系数随铅含量的增加而增加，平均自由程随光子能量的增加而增加，但是随着铅含量的增加而减小。随着铅含量的增加，平均自由程存在突变阈值。　　GEANT4模拟电子穿过重金属氧化物玻璃时，发现韧致辐射γ射线能量主要集中在低能区，并且电子穿透能力较弱，因此在防护时主要目的是过滤射线中的低能部分并减少进入 CMOS图像传感器光电二极管的粒子数。