目的 回顾目前主流使用的动态内存DRAM的原理图及PCB设计方法进行研究，总结设计中遇到的经验教训，对DDR3的原理图及PCB设计方法进行预研，给出前瞻性的设计指导。 文中回顾了前几代主流动态内存DRAM的发展历程。对内存相关概念做了详细的解释，详细阐述了静态RAM和动态RAM的区别、物理BANK与逻辑BANK的区别、内存频率与传输速率的关系、双通道内存控制技术的概念、ECC的概念、Buffered和Registered内存的区别。 文中通过对DDR、DDR2和DDR3等几种DRAM在传输速率、总线频率等方面进行比较，重点突出了DDR3的优越性：更高的外部数据传输率；更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构；在保证性能的同时将能耗进一步降低。详细说明了DDR3是因为将预取设计提升为8bit，从而使得接口频率为核心频率的8倍；从另一个方面来说，也就是在同等接口频率下，实现了比DDR2更低的核心频率。 文中还给出了DDR3内存条和DDR3颗粒的信号定义以及信号说明，简略说明了DDR3功耗的估算方法。在原理图设计时的注意事项，详细描述了包括电源选择、电容选取和走线要求等各方面的注意事项。在PCB设计研究中，结合信号完整性理论，给出了布线的通用规则。最后，通过介绍在设计单板设计中，由于DDR3的VTT布线不当引起读写错误的一个案例，说明了VTT布线对于DDR3设计的重要性.