随着信息技术的突飞猛进,电子产品逐渐向微型化、智能化、普遍化发展。受极限尺寸效应的限制,传统的硅基半导体材料将难以满足未来市场的需求。开发出成本低、性能好、稳定性高的存储材料,成为各国科研工作者研究的焦点,而有机电存储材料凭借其分子设计灵活、3D堆积能力、良好的加工性能以及大型数据存储能力等优点备受关注。其中,功能化的聚酰亚胺材料凭借其良好的成膜性、耐热性、低介电常数等优异性能,已经广泛应用于国防、化工、医药等众多领域。探索聚酰亚胺分子结构与存储性能之间的相互关系已经成为高分子材料研究领域的热点之一。本文分别以4,4’-二甲氧基二苯甲酮和3,5-二硝基苯甲酰氯为原料,合成出两个系列的新型芳香二胺单体,对所得中间体及目标单体利用1H NMR,13C NMR,FT-IR和元素分析等进行了表征。然后,二胺单体分别与均苯四甲酸二酐(PMDA)、2,2’,3,3’-联苯二酸酐(BPDA)通过化学酰亚胺化两步法进行缩聚反应制备新型聚酰亚胺材料。聚酰亚胺的结构借助FT-IR、元素分析、GPC等手段进行了表征,其相应的光学、电化学、热稳定性等性能通过UV-Vis、荧光光谱、DSC、TGA、循环伏安法等手段进行了研究。聚酰亚胺的HOMO和LUMO轨道能级利用密度泛函理论进行计算(计算方法为gaussian 09,结构优化方式为wb97XD/6-31G(D,P))。通过旋转涂膜法将聚酰亚胺制成器件,测试其存储性能。本论文的主要研究工作如下:1.以4,4’-二甲氧基二苯甲酮为原料,依次经过硝化、溴代、还原等反应合成5,5’-二溴-3,3’-二氨基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮,然后与几种芳基硼酸发生Suzuki偶联反应得到目标单体,并借助核磁、红外和元素分析等对其进行表征。2.以3,5-二硝基苯甲酰氯为原料,经过F-C酰基化、还原等反应合成3,5二氨基-4’-溴二苯甲酮,然后与几种芳基硼酸发生Suzuki偶联反应得到目标单体,并借助核磁、红外和元素分析等对其进行表征。3.所得九种芳香二胺单体与已有的两种芳香二酐通过化学酰亚胺化两步法缩聚制备出十八种新型可溶性聚酰亚胺,借助GPC、FT-IR和元素分析等手段进行表征,所得聚酰亚胺表现出良好的有机可溶性。N2保护下,质量损失10%的温度超过400℃,热稳定性能优异。4.利用匀胶机将聚酰亚胺的DMAc溶液旋涂于ITO导电玻璃上,并在薄膜上蒸镀Al电极制备成ITO/polymide/Al存储器件,在没有封装的情况下,探究不同聚酰亚胺的存储性能及器件的稳定性,部分器件的开关电流比达到104,保留时间104 s下,器件表现出良好的稳定性,符合实际应用中对器件的要求。