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近年来，集成电路工艺的完善不断推动信息技术的发展，便携式电子产品的普及也使得人们对信息存储的速度、寿命、功耗、密度和成本的要求越来越高。根据摩尔定律，半导体集成电路每18到24个月尺寸就会缩小一倍，密度增加一倍。随着集成度的提高，传统半导体存储单元的尺寸正逼近其物理极限。当前，基于材料在高低阻态之间的转变行为的阻变存储器由于具有较高的存储密度、较快的读写速度、低功耗、疲劳特性好、器件制备简单，且能够与传统的CMOS工艺相兼容等优点，被认为是下一代存储器的最佳选择之一。然而，目前对于阻变存储器的材料选择、制备工艺、阻变存储机理等方面还有待进一步的研究。本文的研究工作包括两个方面:（一）采用旋涂法制备了掺杂FePt纳米晶的聚（偏氟乙烯-三氟乙烯）(P(VDF-TrFE))薄膜，并初步研究了其电学输运性质;（二）采用脉冲激光沉积法制备了TiOx/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)双层异质结构，并研究了TiOx膜层的制备条件对Pt/TiOx/PZT/LSMO器件的阻变行为的影响。论文得到的主要结论如下: 1，采用旋涂法制备了铁电聚合物P(VDF-TrFE)薄膜，并研究了退火温度对薄膜表面形貌的影响。结果表明，较高的温度使得P(VDF-TrFE)聚合物链充分延展，有利于薄膜结晶。将化学溶液法制备的FePt纳米晶溶液和P(VDF-TrFE)溶液混合，并利用旋涂法在硅衬底上制备了FePt∶P(VDF-TrFE)复合薄膜。研究了Pt/FePt∶P(VDF-TrFE)/Pt器件的阻变行为，实验结果表明，掺杂纳米晶颗粒在聚合物中为电子运动提供了跃迁通道，器件表现出单极型阻变行为。但是，混合后薄膜中的纳米颗粒团聚形成粒径大于200 nm的大颗粒，现有工艺条件还需进一步优化。 2，采用脉冲激光沉积法(PLD)，以(La0.7Sr0.3)MnO3为下电极，在单晶衬底(001)SrTiO3上制备了TiOx/PZT异质结，并研究了TiOx膜层的生长温度和氧分压对Pt/TiOx/PZT/LSMO器件阻变性能的影响。结果表明，随着TiOx膜层生长温度的提高或者制备氧压的降低，器件的阻变由界面控制的铁电二极管转变成由细丝传导控制的双极型阻变。X射线光电子能谱结果表明，器件阻变行为的转变与TiOx膜层中氧空位缺陷浓度有关。