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传统的车载充电机一般采用两级结构,前级是用于功率因数校正的Boost电路,后级是用于调压与隔离的DC/DC变换器。前级的半桥型PFC的输出电压在800V左右,对于后级的DC/DC变换器,传统的1200VSiMOSFET导通损耗和开关损耗都大,IGBT的开关损耗特别大,不适用于高频的应用场合。而采用三电平结构或原边串副边并结构虽然可以使用600VSiMOSFET,但其会复杂度提高,而且会带来其他的一些问题。新型的碳化硅基MOSFET(SiCMOSFET)兼顾了高耐压与低通态电阻,因而导通损耗较小。且由于其开关速度快,所以开关损耗较小,可以极大提高DC/DC变换器的整体效率。本文采用基于SiC MOSFET的全桥LLC变换器,LLC能实现全负载范围内的ZVS,使得其特别适合于高频变换器。提高变换器的工作频率能有效的减小无源元件的体积,如变压器、谐振电感和输入输出电容,从而提高变换器的功率密度,对于车载充电机有特别的意义。针对电动汽车动力电池的充放电特性,对锂离子电池在恒电流充电模式通过基于基波等效法进行建模,并在此基础上研究设计了变换器在高频工作状态变压换器谐振参数。高频情况下,变压器通常采用原副边绕组交错的方式来减小涡流损耗。但也因此带来了原副边绕组寄生电容大的问题,从而会产生较大的原副边位移电流,造成比较严重的EMI问题。本文通过对变压器原副绕组上电位变化的分析,得出各模态下原副边位移电流的产生过程。设计分离谐振电感全桥LLC变换器,原副边位移电流的只在变压器内部循环而不向外部流,从而减小共模电流。且共模电流的减小有利于原边开关管ZVS的实现时间,因此,在相同死区时间内所需的励磁电感电流小,有利于提高效率。本文给出了各个关键参数与关键控制电路的设计,搭建了 一台最大输出功率为6600W的实验样机,频率范围为300kHz-600kHz。通过实验验证了碳化硅基MOSFET应用于车载充电机的优势。