有机电致发光材料无处不在,逐步应用到显示器、可穿戴设备、照明等诸多领域。没有发光材料的存在,现代生活难以想象,因此,通过降低成本,节约原材料,以获得更好的发光材料是现代社会的迫切需要。但是,存在一个非常严重地问题,就是聚集促使荧光淬灭(ACQ),它的存在限制了有机电致发光材料的应用。为应对这个问题,在2001年,唐本忠院士发现并定义了聚集诱导发光(AIE)光物理学概念,它的发现给有机发光材料的研究指明了一个新方向,并为新式发光材料开发且应用于一系列领域开辟了路径。因此,含AIE的有机发光材料的设计和合成在科学研究和工业应用等领域中成为研究热点。分子设计过程中,分子的特殊结构影响分子的光学性能。基于先前实验组研究成果,发现分子结构为V形时,V形构象会打破π-π堆积,从而抑制发光分子的荧光淬灭,又由形成聚集体而使荧光增强,围绕这个思路,研究工作主要集中于含V形结构聚集诱导发光化合物。在这里,设计合成了以硅桥和砜桥为核心的含噁二唑-吩噻嗪V形有机发光分子,即PTZ-OXD-Si和PTZ-OXD-SO,论文主要内容如下:合成和表征了目标化合物PTZ-OXD-Si,其中吩噻嗪既用作强的发光基团而且还作为供电子体,噁二唑作为强的受电子体。测试了其光物理性能、电化学和热稳定性,并进行了量化计算,实验结果表明:硅桥中硅原子具有V形结构,这种结构能够打破π-π堆积,进而破坏聚集诱导淬灭。正如期望的,随着增加溶剂的极性,能够观察到电子逐步由局部激发态到分子内电荷态转移。目标化合物PTZ-OXD-Si在溶液中表现出可调的发光能力,是一个通用的发光体,同时具有良好的电化学性能和热稳定性。由量化计算和电化学测试,发现砜不仅拥有V形结构,而且它的HOMO-LUMO能级与硅几乎相近,以此,设计并合成了以砜桥为核心的目标化合物PTZ-OXD-SO。依据目标化合物PTZ-OXD-Si的测试方法,测试了目标化合物PTZ-OXD-SO,测试结果表明其与目标化合物PTZ-OXD-Si有相似的性能,也是一个良好的发光体化合物。