单相SnO2及SnO2/Graphene复合结构的构筑与性能研究

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近年来,随着经济的快速发展和人口数量的不断增加,环境污染问题越来越受到人们的重视。二氧化锡(Sn02)是一种N型半导体,室温下禁带宽度约为3.5eV,表现出良好的化学、电学和光学性能,在光催化、气敏传感、锂离子电池、染料敏化电池、超级电容器、透明导电薄膜以及相关光电器件等领域得到广泛应用。石墨烯(Graphene)是一种二维层状结构,拥有优异的电子输运性能、机械性能和表面化学性能,这些特性极大地提高了石墨烯基复合结构在光催化过程中的吸附效率、光生载流子与空穴的分离效率。将石墨烯与其他金属氧化物催化剂
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