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具有InAlN结构的GaN基器件,由于其良好的物理和化学性质,特别适合应用于高温高压大功率微波器件。而具有InAlN结构的GaN基MIS器件,大大降低了传统InAlN/GaN HEMTs的栅泄露电流,能有效抑制电流崩塌效应。富铝的In0.17Al0.83N,其很容易被氧化,因而,通过热氧化,在其表面就可以形成接近本征的A1203氧化层。这对MIS结构器件的构造具有很大意义。然而,关于InAIN表面氧化的研究还很少。所以,本文的工作重点就是对富铝的In0.17Al0.83N/GaN异质结构热氧化的特性进行研究,主要研究内容为：1.对In0.17Al0.83N/GaN异质结构故意氧化前和故意氧化后的XPS (X射线光电子能谱)测试结果进行研究,得到不同氧化条件下In0.17Al0.83N表面的化学键,A1203和A1N的强度之比,从而求得表面氧化物厚度。同时,用扩散理论分析In0.17Al0.83N表面热氧化的过程,推导出表达氧化物厚度和氧化时间的关系。然后将XPS测得的表面氧化物厚度与理论推导的做比较,结果发现,超过一定的临界氧化时间后,实验测得的氧化物厚度与理论推导的结果相一致。2.对In0.17Al0.83N/GaN异质结构故意氧化前和故意氧化后的Raman测试结果进行研究,利用L+模来研究二维电子气浓度与In0.17Al0.83N厚度和表面氧化物厚度的关系。我们只有在非故意氧化且In0.17Al0.83N厚度最厚的样品上观测到L+模,说明该样品的二维电子浓度是最大的。3.对In0.17Al0.83N/GaN异质结构的二维电子气进行理论分析,并着重研究了表面氧化对二维电子气浓度的影响。结果发现,界面电荷NInt,势能差(ΦB-ΔECIns),氧化物厚度,和In0.17Al0.83N厚度是影响二维电子气浓度的主要因素。另外,用MATLAB模拟了二维电子气浓度,更直观地说明了这几个因素对二维电子气浓度的影响。