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铁电材料因为具有许多优良性质(如铁电性和压电性)，近年来被用于制作射频器件和非易失性存储器。微电子技术的发展使器件的尺寸下降到纳米级，在这个尺寸范围内忽略铁电材料的尺寸效应是不能接受的。铁电材料的尺寸效应与电极和铁电材料间的界面层有很紧密的联系。而界面层对铁电材料的可靠性(保持性能、印记和疲劳)有很大的影响。因此研究铁电材料的界面效应与尺寸效应对提高基于铁电薄膜材料的器件的性能是很有必要的。本文首先研究了界面层对铁电场效应晶体管性能的影响；然后用andau．．Ginzburg—Devonshire理