二维材料因为其超薄的厚度决定的超短的临界沟道尺寸成为了半导体领域的热点研究材料,在对石墨稀进行广泛深入研究的同时,也引发了人们对具有非碳组成的二维类石墨烯半导体材料的关注,特别是具有宽带隙的二维半导体材料。在本论文中,我们通过第一性原理方法系统的研究了双轴应力对单层三族氮化物和含缺陷单层氧化锌的性质的调控作用。首先,我们使用杂化密度泛函研究了双轴应力对单层三族氮化物(III-N)电子结构的调控作用。在施加连续变化的双轴应力下,四种单层III-N(单层III-N,III=B,Al,Ga,In)的能带结构都产生了规律性变化,在外加应力由10%大小的双轴压应力逐步转变为10%大小的双轴压应力的过程中,III-N单层的带隙值都表现出先增大后减小的变化趋势。所以,通过施加双轴应力,有效拓宽了单层三族氮化物的带隙范围。值得一提的是,在我们所施加的应力范围内,单层BN,单层Ga N和单层In N都出现了直接带隙和间接带隙之间的带隙结构转换。这点对于单层氮化物在光电领域的应用是很有意义的。接着,研究了双轴应力对含缺陷的单层Zn O的电子结构及磁性的调控。在这一部分,主要计算了双轴应力对氧化锌单层中VZn0和VO0的形成能和离化能的调控规律,以及双轴应力对氧化锌单层中VZn0、VO+和VZn-的磁性的和氧化锌单层中VZn0和VZn-自旋极化的调节。同时,我们发现VO+单层在6%大小的双轴张压应力下由p型半导体变为n型半导体。最后我们通过计算还发现,双轴张应力对于氧化锌单层VZn0-VZn0和VZn--VZn-的缺陷间磁耦合性质也有很好的调控作用。