过渡金属硫族化物（TMDs）是非常好的基础物理研究对象,其在器件性能上具有优良表现,吸引越来越多研究人员的关注。本论文利用扫描隧道显微镜（STM）结合扫描隧道谱（STS）,通过研究设计以及莫尔结构的引入,研究了二维（2D）硒化铟原子层间耦合以及2D二硒化钨与其担载金膜的弱耦合作用,得到的结论如下:（1）针对不同原子层数的γ-InSe局域形貌结构与电子结构表征,阐明γ-InSe原子层数依赖的带隙演化规律。研究发现从少层的2.5 eV到块体相的1.2 eV,其带隙变化为1.3 eV,该带隙变化机理不能仅用量子限域效应来解释,还需考虑γ-InSe中强的层间耦合。进一步利用自由电子模型对得到的γ-InSe带隙随厚度变化结果进行拟合,得到小的约化质量（～0.06me）及大的激子半径（～11 nm）,表明γ-InSe中存在强的层间耦合。（2）块体相γ-InSe上发现晶格失配诱导的莫尔结构以及具有鲁棒性的带隙。研究发现莫尔结构区域中的带隙接近于块体相γ-InSe的带隙,莫尔结构中周期堆垛区域的带隙保持不变（都为1.3 e V）,表明不同堆垛结构差异对其电子结构的影响忽略不计,同时γ-InSe上表面层与次表面层之间存在强的层间耦合抹除了莫尔周期势对带隙的调控。对各个区域态密度（DOS）进行第一性原理计算,计算的结果也证明了上述结论。为量化来自不同γ-InSe层的相邻轨道之间的杂化,考虑了跃迁积分,计算结果表明γ-InSe中的层间耦合不是纯范德瓦尔斯作用,而是有一定程度的类共价键。（3）研究转移到金膜上的单层WSe2,发现WSe2中底层Se原子的pz轨道未与Au的d电子发生作用,表现出弱耦合的特征。研究表明转移到金膜上的单层WSe2跨其台阶边缘且原子排列连续,晶格常数无变化,而且因晶格失配形成莫尔周期结构。经过局域形貌结构与电子结构表征,发现STM形貌高度的变化与STS中价带顶与导带底附近的特征态的强度变化相反,这可能是莫尔周期势对其调控所致。相应的局域STS研究表明莫尔周期结构中带隙无变化且电子态位置未发生偏移,证明转移的单层WSe2与衬底Au之间存在弱耦合相互作用。综上,本论文通过STM结合STS探究并证明γ-InSe是一种强层间耦合材料,而Au膜上转移的单层WSe2因与担载金膜的弱耦合作用而表现出本征物性。