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QLED (Quantum Dots Light-Emitting Diode,量子点发光器件),是一种新兴的显示器件,结构与OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光显示器)相似,即空穴传输层、发光层以及电子传输层组成的三明治结构。对比OLED, QLED的特点在于其发光材料采用性能更加稳定的无机量子点。量子点独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、量子尺寸效应和表面效应使其展现出出色的物理性质,尤其是其光学性能。相对于有机荧光染料,胶体法制备的量子点具有光谱可调,发光强度大、色纯度高、荧光寿命长,单光源可激发多色荧光等优势。此外,QLED的寿命长,封装工艺简单或无需封装,有望成为下一代的平板显示器,具有广阔发展前景。目前根据QLED中载流子传输层的不同,可将QLED分为四种。分别为聚合物载流子传输层QLED,有机小分子载流子传输层QLED,无机载流子传输层QLED,以及杂化载流子传输层QLEDo其中无机载流子传输层,空气稳定性最好,无需进行封装,是本文研究的重点。然而,目前无机载流子传输层QLED器件效率很低,主要原因在于空穴载流子和电子载流子传输速率不平衡造成量子点充电以及荧光淬灭。因此,本文主要采用水热法对空穴传输层形貌进行调控,从而提高空穴传输层中空穴载流子传输速率,以期提高QLED器件效率本文的研究内容主要如下：(1)采用水热法和磁控溅射法在FTO导电玻璃表面成功制备了NiO薄膜。其中通过改变水热生长时间,制备了微纳米叶片状、具有垂直网络结构的NiO薄膜。霍尔测试表明所制备的NiO均为p-型半导体。水热法制备的具有垂直结构的NiO薄膜其空穴传输速率明显高于磁控溅射的NiO薄膜。(2)采用水热法和磁控溅射法在FTO导电玻璃表面成功制备了W03薄膜。其中通过改变水热溶剂和添加剂,制备了具有垂直生长结构的W03薄膜。霍尔测试表明所制备的W03薄膜均为p-型半导体。水热法制备的具有垂直结构的W03薄膜其空穴传输速率明显高于磁控溅射的W03薄膜。(3)采用微流体技术成功制备了胶体量子点CdSe,并成功对其进行包覆,制备出了CdSe/ZnS量子点,包覆后荧光性能得到明显改善。通过改变合成工艺参数在很宽的范围内实现了发光光谱的调控。所合成的CdSe量子点荧光量子产率高达85%,核壳结构CdSe/ZnS量子点荧光量子产率高达90%。量子点粒径分布均匀,荧光半峰宽为17～30nm,并能维持优异的光纯度和光亮度。(4)采用磁控溅射法制备了作为电子传输层的AZO薄膜,并完成了QLED整个器件的制备。对NiO-CdSe/ZnS-AZO和WO3-CdSe/ZnS-AZO两种QLED器件进行了I-E曲线测试。结果表明NiO-CdSe/ZnS-AZO具有良好的整流特性。