非晶态材料具有长程无序、短程有序的结构特点,这使得非晶态材料在能带结构上与晶体材料具有共性的同时,还存在一定的差异。但是目前国内外还缺乏非晶态半导体材料全面和详尽的研究。本文开展了非晶In_xGa_1-xAs（0≤x≤1）薄膜制备、表征、和氢钝化方面的研究工作。我们采用射频磁控溅射以及分子束外延技术制备非晶态的InGaAs薄膜。利用X射线衍射、扫描电镜等手段对非晶态薄膜的结构和表面特性进行了表征,并由X射线衍射结果计算出径向分布函数和双体相关函数,获得了a-In_xGa_1-xAs薄膜的微观结构数据。在Matlab编程基础上,拟合出光学常数曲线,分析了工作气压对光学常数的影响。此外,对薄膜材料进行了掺氢研究,分析了掺氢后的薄膜材料在结构、形貌上以及光学带隙上的变化,通过分析知道,氢气的掺入减少了薄膜材料中的缺陷态密度,导致光学带隙值增大,吸收边出现“蓝移”现象。