Ⅱ－Ⅵ族半导体材料是目前应用广泛的一种发光材料，将其做到纳米尺寸，会出现许多不同于体相材料的新异性质。纳米发光材料的实用化将带来发光材料领域的巨大变革，并带动相关纳米电子器件的发展。近年来离子掺杂的纳米半导体发光材料一直是研究热点，掺杂离子表现出的发光特性引起人们的广泛兴趣。但纳米粒子表面存在的大量的表面态大多对发光起猝灭作用，导致纳米材料发光效率低。采用无机物对纳米材料表面进行修饰，改变了表面态性质和分布，提高了纳米材料的发光效率。但是这方面的研究，大部分集中在讨论表面修饰对半导体本身发光的影响，对掺杂离子的发光受无机壳层影响的研究还不多。 本文采用反胶束法制备了锰离子掺杂的纳米硫化锌颗粒，并在颗粒表面包覆硫化镉壳层，对其发光性质的变化进行了研究。总结如下： 1、采用反胶束方法，以乙酸锌、乙酸锰、硫化氢气体为反应原料，庚烷为有机相，AOT 为表面活性剂，制备了不同锰离子掺杂浓度的ZnS∶Mn纳米颗粒，对其光学性质进行了研究。发现紫外可见吸收阈值在305 nm左右，采用有效近似模型估算粒子的粒径约为 3.5nm；对于所有锰离子掺杂浓度下制备的样品，Mn离子位于585 nm的发光都极弱，说明本条件下制备，只有极少量的Mn掺杂进ZnS晶格，大多数吸附在粒子表面。 2、用硫化镉按壳层硫化镉的摩尔量分别为核硫化锌摩尔量的 1/5、2/5、3/5、4/5、5/5对所制备的ZnS∶Mn纳米颗粒进行不同厚度的壳层包覆，考查包覆壳层对ZnS∶Mn纳米颗粒发光的影响。结果表明，在锰离子掺杂浓度为1％、2％时，锰离子位于585 nm附近的发光强度随壳层厚度增加不断增加，与Zn空位有关位于425 nm附近的发光强度随壳层厚度的增加而减弱。在锰离子掺杂浓度为3％、4％时，核壳摩尔比为5：4的样品发光强度最大，再增加壳层厚度，发光就开始减弱；在锰离子掺杂浓度为5％时，随着壳层增厚，发光缓慢增强，当壳层厚度增加到5∶4后，再增加壳层厚度到5∶5，发光突然增强很多。 3、当锰离子掺杂浓度小于2％时，随着壳层增厚，由于Zn空位减少， Mn离子到表面的距离增长，粒子增大，表面缺陷数量减少等原因，传递到Mn离子能级的能量增多，通过表面猝灭中心进行无辐射跃迁的通道减少，使得锰离子位于585 nm附近的发光强度随壳层厚度增加不断增强。当锰离子掺杂浓度大于2％之后，可能存在锰离子之间发生的浓度猝灭，影响因素增多的同时，影响因素之间又互相影响，造成发光强度的变化很难具有规律性。 4、反应原料中锰离子浓度最多为3％，通过反应和壳层作用可以使锰离子进入粒子内部的量最合适，得到最强发光，反应原料中锰离子浓度再大，浓度猝灭就将起主要作用。