能源问题已经成为全世界极为关注的重要议题。当前,全球能源市场正在转型。人们对高效无污染的新能源需求日益紧迫。随着热电材料的理论和实验研究的进展,二维材料因具有优越的电子及热传输性质,展现了热电能量转换的巨大潜力。近期,对单层三五族材料的实验和理论研究,激发了探索其材料的热电性质。此外,二维三六族材料已经具有了较成熟的实验基础,铟硒化物近年来也逐渐成为热电研究的热点。本论文的主要研究内容包括:(1)研究了单层五族铟化物(In-VA)的热电性质。首先分析了结构对电子性质的影响。基于玻尔兹曼输运理论和弛豫时间近似方法,研究了单层五族铟化物的输运性质。研究表明:In-VA在室温下显示了超低的晶格热导,分别是 2.64 Wm-1K-1(InP)、1.31 Wm-1K-1(InAs)、0.87Wm-1K-1(InSb)和0.62Wm-1K-1(InBi),符合良好热电材料的标准—k<2 Wm-1K-1。高温900K时,In-VA的最大热电优值ZT分别是 0.779、0.583、0.696、0.727 和 0.373,说明了 In-VA 是一种潜在的中高温热电材料。(2)研究了单层硒化铟(InSe)材料的热电性质。考虑了自旋轨道耦合以及等轴应力的作用,在0%-10%的应力下确定了单层硒化铟结构的稳定性;研究了应力调制的硒化铟材料热电性质。在2%的应力下,InSe的晶格热导显著降低,300K温度下,从无应力状态下的1.2变为0.89;600K温度下,InSe的热电优值最大值从0.81增大到1.18。研究结果表明应力调制可以有效调控二维热电材料的优值。