为了研究石墨烯/碳化硅异质结对不同气体的吸附性能，本文搭建了石墨烯/碳化硅异质结模型，选择5×5×1的4H-SiC超晶胞和4×4×1石墨烯超晶胞，以使两者的晶格常数基本接近，从而构成石墨烯/碳化硅异质结。借助Materials Studio程序中的CASTEP模块，基于密度泛函理论的第一性原理，对非掺杂和掺杂石墨烯/碳化硅异质结吸附氯气和一氧化碳气体的吸附特性进行了计算分析，得到了如下结论:　　1）本征石墨烯/碳化硅异质结对氯气和一氧化碳的吸附均为物理吸附。其中，对于吸附氯气而言，最稳定的吸附位置是氯-氯键平行于石墨烯层二维平面中的碳-碳键，氯-氯键中点与碳-碳键中点连线垂直于石墨烯层二维平面；对于吸附一氧化碳而言，最稳定的吸附位置是一氧化碳分子处于桥位（垂直）且碳原子一侧靠近石墨烯层。　　2）硼掺杂和磷掺杂石墨烯/碳化硅异质结无论是对氯气的吸附还是对一氧化碳的吸附仍属物理吸附，与未掺杂石墨烯/碳化硅异质结对上述气体的吸附特性差别不大，说明硼掺杂和磷掺杂不会改变石墨烯/碳化硅异质结对氯气或一氧化碳气体的吸附性质。　　3）金属杂质的掺入均可使氯气分子和一氧化碳分子在石墨烯/碳化硅异质结表面形成稳定的化学吸附。其中，钛、铝掺杂石墨烯/碳化硅异质结分别对氯气分子和一氧化碳分子具有强反应性，表明金属杂质掺入有可能提高石墨烯/碳化硅异质结对氯气或一氧化碳气体的吸附性能，计算结果表明金属杂质掺杂石墨烯/碳化硅异质结构在氯气或一氧化碳气敏传感器领域具有潜在的应用前景。