【摘 要】
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半导体团簇由于其重要的基础研究意义和潜在的应用价值,一直是团簇研究的热点。本文采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP/6.311 G(d)方法,使用Gaussian 03计算程序对半导体C7Sin(
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半导体团簇由于其重要的基础研究意义和潜在的应用价值,一直是团簇研究的热点。本文采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP/6.311 G(d)方法,使用Gaussian 03计算程序对半导体C7Sin(n=1-7)团簇进行了详细的理论计算研究,确定了它们的最稳定几何结构,并对C7Sin(n=1-7)团簇的相对稳定性和电子特性进行了细致分析。主要结论如下：C7Sin(n=1-2)团簇的最稳定结构为直线型,C7Sin(n=3-7)团簇的最稳定结构为平面型,且随着Si原子数目的增加,硅碳混合团簇更倾向于在中心形成五元环,六元环甚至更大的环,其余Si原子则在环的周围与环上两个相邻C原子形成C2Si三角形单元。本文结果很好再现了以往的理论计算结果,为探索和理解更大硅碳混合团簇的结构、稳定性和电子特性提供参考。
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